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ES1D

更新时间:2023-05-29 06:10:18
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ES1D 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IF(AV)=1A/IFSM=30A/IR=5μA
    电压参数：URRM=200V/UF=0.92V
    功  率：PD=1.47W
    其他参数：trr=15ns
    备  注：快速整流二极管(IF(AV)为TL=120℃值)

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ES1D外观图

  • 大小：372.89KB
  • 厂家：SUNMATE/森美特
  • 描述：VOLTAGE RANGE: 50 - 600 CURRENT: 1.0 A SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER DIODES ES1A - ES1J ! Glass Passivated Die Construction ! ! Low Forward Voltage Drop, High Efficiency ! ! ! Plastic Case Material has UL Flammability  ! Case: SMA/DO-214AC, Molded Plastic ! Terminals: Solder Plated, Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 ! Polarity: Cathode Band or Cathode Notch ! Marking: Type Number ! Weight: 0.064 grams (approx.) Characteristic Symbol ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1J Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage VRRM VRWM VR 50 100 150 200 300 400 600 V RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 70 105 140 210 280 420 V Average Rectified Output Current @T L = 120°C IO 1.0 A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) IFSM 30 A Forward Voltage @I F = 1.0A V
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：单二极管/整流器
  • 系列：-
  • 二极管类型：标准
  • 电压 - (Vr)（最大）：200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)：1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：920mV @ 1A
  • 速度：快速恢复 = 200mA（Io）
  • 反向恢复时间(trr)：15ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电：5µA @ 200V
  • 电容@ Vr, F：7pF @ 4V，1MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DO-214AC，SMA
  • 供应商设备封装：SMA
  • 包装：Digi-Reel®
  • 其它名称：ES1DFSDKR
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