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FCPF11N60F

更新时间:2024-04-26 19:54:43
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FCPF11N60F外观图

  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SuperFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:380 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1490pF @ 25V
  • 功率 - 最大:36W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220F
  • 包装:管件
FCPF11N60F 相关信息
  • 飞兆半导体推出完整的功率器件解决方案实现高效、可靠的低噪声LCD TV电源设计
    ...T (FRFET) 产品便经过优化以满足这种设计要求。结合SuperFET技术和控制少子寿命的工艺,SuperFET FRFET能够提高体二极管的性能、对关断电压变化dv/dt的抗扰性,以及降低其EMI。举例说,最新一代FCPF11N60F器件具有trr = 120ns & Qrr= 0.8μC 以及高达50V/ns dv/dt的能力。这些先进的MOSFET甚至在最先进的LLC半桥转换器中也能够提高效率和可靠性。(参见下表中全部的SuperFET FRFET...
  • 飞兆功率器件解决方案可改善EMI和MOSFET开关损耗
    ...速恢复MOSFET(FRFET)产品便经过优化以满足这种设计要求。结合SuperFET技术和控制少子寿命的工艺,SuperFET FRFET能够提高体二极管的性能、对关断电压变化dv/dt的抗扰性,以及降低其EMI,最新一代FCPF11N60F器件具有trr=120ns & Qrr=0.8μC以及高达50V/ns dv/dt的能力。 全新Stealth II和Hyperfast II产品采用采用无铅封装,能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合...

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