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FDMS86101

更新时间:2025-05-02 12:55:23
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  • 深圳市君云达电子科技有限公司

  • FDMS86101

    FDMS86101
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FDMS86101的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FDMS86101外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 13A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：55nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3000pF @ 50V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PQFN，Power56
  • 供应商设备封装：Power56
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDMS86101TR
FDMS86101 相关信息
  • 使用于嵌入式功率系统的先进100V MOSFET器件
    ...越的抗雪崩能力以及改进的体内二极体（body-diode）特性，这些器件适用于多种不同的应用。 飞兆半导体公司 （Fairchild Semiconductor） 为隔离式DC/DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS（ON） 和出色的品质因数 （figure of merits, FOM），有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体...
  • Fairchild新型100V MOSFET为电源设计带来低达50%的RDS
    近日，飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。 FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健...
  • Fairchild为隔离式DC-DC应用设计提供新型器件
    Fairchild Semiconductor(飞兆半导体公司) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm×6mm MLP Power56 封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。相...
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FDMS86101推荐型号
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