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FDMS86255

更新时间:2025-05-17 11:45:47

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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17712
ON
PQFN56/19+
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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80000
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深圳市高胜电子有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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-

深圳市硅宇电子有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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65200
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Power 56/21+
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深圳市爱冠伟业电子有限公司
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10
ON SEMICONDUCTOR
-/-
只做原装，假一罚十

深圳市赛思尔科技有限公司
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21403
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-/23+
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只做原厂原装假一罚十可含税

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FAIRCHILD/仙童
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一级代理
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深圳市芯巴巴科技有限公司
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5000
onsemi(安森美)
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只做原装，提供一站式BOM配套服务

深圳市新亿利电子有限公司
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5000
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73000
一级代理
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一级代理保证

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3180
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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105000
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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10000
Fairchild(飞兆/仙童)
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深圳市鹏先达电子有限公司
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1980
ONN
NA/NA
-

深圳市博洋芯微电子有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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FDMS86255 概述

FDMS86255是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用Power56封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于高频开关应用。其优化的设计使其在电源转换器、同步整流电路以及负载点(POL)转换器中表现出色。典型应用场景包括服务器、电信设备、工业控制和消费电子产品的电源管理模块。使用时应注意确保栅极驱动电压足够以实现最低的导通电阻，并且需要合理的PCB布局以优化散热性能。在电路设计中，可以考虑与相应的驱动IC配合使用，以充分发挥其高速开关特性，提高系统整体效率。

FDMS86255 规格参数

现有数量
6,729现货
系列
PowerTrench?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta），45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4480 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.7W（Ta），113W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN

芯知识

2.2万

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