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FDMS86255

更新时间:2025-05-17 11:45:47

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深圳市诚研翔科技有限公司
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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深圳市高胜电子有限公司
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严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货”，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
17712
ON
PQFN56/19+
进口原装现货

深圳市金泽芯通电子科技有限公
FDMS86255ET150
优势
8754
ON(安森美)
Power568/26+
原装现货支持样品

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市优尚半导体科技有限公司
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6000
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提供一站式BOM配单服务

深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市科圳威电子有限公司
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Fairchild(飞兆/仙童)
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深圳市港博科电子有限公司
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10000
Fairchild(飞兆/仙童)
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深圳市科翼源电子有限公司
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139332
ON
QFN/26+
原装现货

深圳市杰兴伟业电子有限公司
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300000
onsemi(安森美)
Power(5x6)/23+
一级代理商可提供技术方案支持

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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只做原厂原装假一罚十可含税

深圳市芯巴巴科技有限公司
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5000
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SBRD81045T4G/-
只做原装，提供一站式BOM配套服务

上海熠富电子科技有限公司
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Fairchild(飞兆/仙童)
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原装现货上海库存，欢迎咨询

深圳市爱冠伟业电子有限公司
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10
ON SEMICONDUCTOR
-/-
只做原装，假一罚十

深圳市鹏先达电子有限公司
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ONN
NA/NA
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深圳市金泽芯通电子科技有限公
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FAIRCHILD/仙童
QFN/26+
原装现货

云汉时代半导体(深圳）有限公
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Fairchild(飞兆/仙童)
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原装现货

深圳市君云达电子科技有限公司
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ON
PQFN56/24+
原装正支持实单

深圳市星诚通电子有限公司
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ON/安森美
PQFN56/2605+
库存现货

深圳市赛思尔科技有限公司
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原装现货，长期供应

深圳市新亿利电子有限公司
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5000
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原厂直销，提供一站式服务

深圳市岳泰达电子有限公司
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深圳市星韵芯电子有限公司
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LITEON(台湾光宝)
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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73000
一级代理
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一级代理保证

深圳市芯齐壹科技有限公司
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12000
ON/安森美
Power 56/26+
官网可查icscjh.com

深圳市誉辉天成电子有限公司
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5000
Fairchild(飞兆/仙童)
-/24+
优势渠道现货，提供一站式配套服务

深圳市金科创世纪电子有限公司
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89999
FAIRCHILD/仙童
QFN/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务

深圳市创芯联盈电子有限公司
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100500
ON/安森美
PQFN56/2519+
一级代理专营品牌原装，优势现货，长期排单到货

海芯未来半导体电子（深圳）有
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7300
ON/安森美
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行业十年，价格超越代理，支持权威机构检测

深圳市星宇佳科技有限公司
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onsemi(安森美)
Power 56/20+
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LMSEMI/砺马
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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73000
一级代理
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深圳市威雅利发展有限公司
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7300
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市华普冠科电子科技有限公
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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武汉力源信息技术股份有限公司
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东莞市丰科电子科技有限公司
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深圳市中纳芯电子有限公司
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深圳市蓝军科技有限公司
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FDMS86255 概述

FDMS86255是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用Power56封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于高频开关应用。其优化的设计使其在电源转换器、同步整流电路以及负载点(POL)转换器中表现出色。典型应用场景包括服务器、电信设备、工业控制和消费电子产品的电源管理模块。使用时应注意确保栅极驱动电压足够以实现最低的导通电阻，并且需要合理的PCB布局以优化散热性能。在电路设计中，可以考虑与相应的驱动IC配合使用，以充分发挥其高速开关特性，提高系统整体效率。

FDMS86255 规格参数

现有数量
6,729现货
系列
PowerTrench?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta），45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4480 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.7W（Ta），113W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN

芯产品

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