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FDN304P

更新时间:2025-06-10 10:46:51

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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SOT23/21+
进口原装现货

深圳闻舟科技有限公司
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认证现货
1300
ONSemi/安森美
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原装有现货实单可谈

深圳市创科洋电子有限公司
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ON全系列一级代理，深圳公司大量现货

科范微半导体（深圳）有限公司
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认证现货
87000
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原装现货库存，价格优势

深圳智睿捷科技有限公司
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认证现货
3000
PLINGSEMIC/鹏领
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深圳智睿捷科技有限公司
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15000
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深圳市锐硕思科技有限公司
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深圳市佳达源电子有限公司
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深圳市福田区新大西洋电子商行
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北京天阳诚业科贸有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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FDN304P

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FDN304P 概述

FDN304P是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于便携式设备中的电源管理应用。其最大漏极-源极电压为-20V，在Vgs=-4.5V时的最大连续漏极电流为-1.8A。此MOSFET常用于负载开关、电池充电电路以及DC-DC转换器中。在实际应用中，建议将其用于低压差线性稳压器的后端开关，以提高系统效率。由于其小巧的封装尺寸，非常适合空间受限的设计。使用时需注意栅极驱动电压的选择，确保完全开启或关闭MOSFET，避免因部分导通导致过热现象。电路设计时应考虑适当的散热措施，并遵循制造商提供的推荐布局指南以减少寄生效应。

FDN304P 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
52 毫欧 @ 2.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1312pF @ 10V
功率 - 最大
460mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
3-SSOT
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDN304PTR

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