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FDP52N20

更新时间:2025-07-06 01:49:39

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深圳市金泽芯通电子科技有限公
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FDP52N20

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 52A TO-220

封装:TO-220-3

FDP52N20 概述

FDP52N20是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET。该芯片采用先进的工艺技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能的电源管理应用。基础描述方面，它具备出色的热稳定性和电气性能，在栅极驱动电压为10V时，最大导通电阻仅为0.039欧姆，这有助于减少功耗并提高系统效率。其最大漏源电压（Vds）为200V，连续漏极电流（Id）可达52A，能够满足大部分工业级电源转换需求。应用场景广泛，包括不间断电源（UPS）、直流-直流转换器、电机驱动控制等。在这些应用中，FDP52N20可以作为开关元件使用，实现能量的有效传输与转换。设计时应注意合理的散热措施，并根据具体的应用环境选择适当的栅极电阻值以优化开关特性。此外，在高频应用场合下，应特别关注PCB布局对EMI的影响，尽量缩短关键走线长度以降低干扰。

FDP52N20 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
52A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
49 毫欧 @ 26A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2900pF @ 25V
功率 - 最大
357W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220
包装
管件

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