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FDP6670S

更新时间:2025-04-12 06:01:34
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FDP6670S的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：0.041 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0085 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 封装：Tube
  • 下降时间：35 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：150 W
  • 上升时间：10 ns
  • 典型关闭延迟时间：39 ns
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