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FDR858P

更新时间:2025-07-03 18:19:22
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FDR858P外观图

FDR858P

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

  • 封装:8-SSOT，SuperSOT-8
FDR858P 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    19 毫欧 @ 8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    30nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2010pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    900mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SSOT，SuperSOT-8
  • 供应商设备封装
    8-SSOT
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDR858P-NDFDR858PTR
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