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FDR858P

更新时间:2025-04-21 14:26:11
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FDR858P的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：19 毫欧 @ 8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：30nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2010pF @ 15V
  • 功率 - 最大：900mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SSOT，SuperSOT-8
  • 供应商设备封装：8-SSOT
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDR858P-NDFDR858PTR
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