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FDS3912

更新时间:2025-05-16 20:26:28
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FDS3912外观图

FDS3912

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH DUAL 100V 3A 8SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDS3912 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    125 毫欧 @ 3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    632pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    900mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOICN
  • 包装
    带卷 (TR)
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