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FDS6676

更新时间:2025-07-03 10:37:09

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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市四雄微电子有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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进口原装现货

现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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艾润香港电子有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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海芯未来半导体电子（深圳）有
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FSC
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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一级代理专营品牌原装，优势现货，长期排单到货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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青岛谛辉电子科技有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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中科航电（深圳）电子集团有限
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一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

深圳市富科达科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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FDS6676 概述

FDS6676是ON Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，采用PowerTrench工艺制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效直流-直流转换器、负载开关以及电池供电设备中的电源管理应用。其最大漏极-源极电压为30V，连续漏极电流可达24A，适合紧凑型电路设计需求。在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备中广泛应用。使用时应注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启，推荐最小驱动电压为4.5V，但在10V驱动下能实现最佳性能。设计电路时应考虑适当的散热措施以维持稳定工作温度。

FDS6676 规格参数

制造商
Fairchild Semiconductor
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
+/- 16 V
漏极连续电流
14.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.007 Ohms
配置
Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8 Narrow
封装
Reel
下降时间
40 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
2.5 W
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
典型关闭延迟时间
87 ns

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