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FGB20N6S2DT

更新时间:2025-06-17 14:25:24
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FGB20N6S2DT 规格参数
  • 制造商
    Fairchild Semiconductor
  • 配置
    Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    600 V
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    TO-263AB-3
  • 封装
    Reel
  • 集电极最大连续电流 Ic
    28 A
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
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