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FJP3307D

更新时间:2025-05-21 12:13:54
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FJP3307D 规格参数
  • 制造商
    Fairchild Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    400 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    9 V
  • 最大直流电集电极电流
    8 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    5
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-220
  • 封装
    Bulk
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    80000 mW
  • 工厂包装数量
    200
  • 零件号别名
    FJP3307D_NL
FJP3307D Datasheet数据手册 PDF下载
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