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FKP253

更新时间:2024-03-28 18:32:55
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FKP253外观图

  • 现有数量:0现货
  • 价格:不适用于新设计
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):95 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):40W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
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