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FM2G200US60

更新时间:2025-05-16 20:25:50
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FM2G200US60 规格参数
  • 制造商
    Fairchild Semiconductor
  • 产品种类
    IGBT 模块
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    600 V
  • 集电极—射极饱和电压
    2.2 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    200 A
  • 栅极—射极漏泄电流
    100 nA
  • 功率耗散
    830 W
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    7PM-BB
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    Screw
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