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FMC6G30US60

更新时间:2025-06-22 18:17:08
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FMC6G30US60 规格参数
  • 制造商
    Fairchild Semiconductor
  • 产品种类
    IGBT 模块
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    600 V
  • 集电极—射极饱和电压
    2.2 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    30 A
  • 栅极—射极漏泄电流
    100 nA
  • 功率耗散
    125 W
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    21PM-BA
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
FMC6G30US60 Datasheet数据手册 PDF下载
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