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FQA11N90

更新时间:2025-05-07 05:44:47
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FQA11N90外观图

  • 大小：679.36KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：900V N-Channel MOSFET
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：960 毫欧 @ 5.7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：94nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3500pF @ 25V
  • 功率 - 最大：300W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商设备封装：TO-3P
  • 包装：管件
FQA11N90 相关信息
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    ...Fairchild Semiconductor 所提供的瞬时热阻参数曲线图。从此图中 , 在瞬时条件下其接合面温度可导出如下式 : Tj = PD x Z θ jc(t) + TC ---------- (3) 举例说明 , 当一个 2KW 的电源脉冲加至 FQA11N90 的脉冲时间为 1uS 时 , 我们可依据图六的曲线算出此脉冲功率对接合面所产生的温升为 T = PD x Z θ jc(1uS) = 2000 x 1.49 x 10-3 ? 3 ° C 此脉冲功率如此之大 , 但其所造成的上...
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