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FQA9N90C

更新时间:2024-04-27 02:48:39
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    FQA9N90C
  • 10

  • TI/德州仪器

  • TO3P/10+

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FQA9N90C外观图

  • 标准包装:450
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.4 欧姆 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2730pF @ 25V
  • 功率 - 最大:280W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装:TO-3P
  • 包装:管件
FQA9N90C 相关信息
  • 电源应用中场效应晶体管的崩溃效应
    ...假设一种情况 , 当一组开关电源线路在做短路测试时 , 其量测到的场效应晶体管的 Drain 及 Source 两端电压超过了其最大的额定电压 , 而且持续了一段时间直到短路保护动作。此条件下的参数如下 : FQA9N90C 为其场效应晶体管 , 100nS tAV, 9.2uS 周期长度以及 20mS 延迟时间。在此条件下 , 其瞬时的热阻计算如下 Z θ jc(t) = 0.01 x Z θ jc(20mS) + (1-0.01) Z θ jc(9.3uS) + Z θ jc(100...
  • 功率器件市场缺口扩大 厂商需提早备货
    ...,价格也涨幅到3.6元人民币,市场出现了久违的火爆,为此飞捷公司积极备货FGL60N100BNTD、RHRP860、FQL40N50、FQD5N50C、ISL9V3040S3S、FDD8880、SGS10N60RUFDTU、SGL50N60RUFDTU、FSBB20CH60、FQA9N90C等市场型号,以应对错综复杂的市场变化,同时也提醒您做好自己的生产计划,适当做些库存。我们预估未来几个个月功率器件价格大概整体会有3%-5%的提升。
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