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FQB11P06TM

更新时间:2025-05-16 14:15:08

供应商
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封装/批号
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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只做原装进口现货，专注配单

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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十年配单，只做原装

深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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深圳华美锐科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市行进微电子有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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安富利（深圳）商贸有限公司
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深圳市世纪成达电子科技有限公
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专注电子元件十年，只做原装现货

深圳市广弘电子有限公司
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32365
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19+/D2PAK
只做原装

深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳原装进口星宇佳科技

深圳市粤东诚信电子有限公司
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深圳市华芯盛科电子有限公司
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华芯盛世半导体（深圳）有限公
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深圳市福田区恒胜达电子商行
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114/24+
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深圳市拓亿芯电子有限公司
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FQB11P06TM外观图

FQB11P06TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

FQB11P06TM 概述

FQB11P06TM是Fairchild Semiconductor生产的一款P沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。其最大漏源电压为-60V，在栅极驱动电压为-10V时，典型导通电阻仅为17mΩ，有助于减少功耗并提高效率。常见应用场景包括负载开关、电池保护电路、电动工具以及直流电机控制等需要高效功率管理的场合。由于其紧凑的封装尺寸和良好的热性能，特别适合空间受限的设计需求。在实际应用中，需注意正确选择栅极驱动电阻以优化开关速度，并确保足够的散热设计以维持长期可靠性。使用时应遵循制造商提供的电气参数范围，避免超出最大额定值。

FQB11P06TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
175 毫欧 @ 5.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 25V
功率 - 最大
3.13W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
带卷 (TR)

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