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FQB32N12V2TM

更新时间:2025-06-11 11:24:47

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FQB32N12V2TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

FQB32N12V2TM 概述

FQB32N12V2TM是一款N沟道MOSFET，由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产。该器件具有低导通电阻和高开关速度特性，最大漏源电压(VDS)为120V，连续漏极电流(ID)在25°C时高达32A。其栅极电荷(Qg)较低，有助于提高开关效率并减少驱动损耗。此MOSFET适用于多种电源管理应用，如直流-直流转换器、电机控制和逆变器电路中。由于其良好的热性能和电气参数，在需要高效功率转换的工业设备中表现出色。在实际使用时应注意散热设计，确保工作温度不超过最大额定值以保障可靠性。同时，在高速开关应用中要合理布局PCB走线，减小寄生电感影响。

FQB32N12V2TM 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
32A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
50 毫欧 @ 16A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
53nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1860pF @ 25V
功率 - 最大
3.75W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
带卷 (TR)

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