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FQB50N06LTM

更新时间:2025-05-21 11:38:42

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市广运诚科技有限公司
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深圳市科鑫美电子有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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原装正品，配单能手

深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市华威信达科技有限公司
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深圳市博洋芯微电子有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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FQB50N06LTM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

FQB50N06LTM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
52.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
21 毫欧 @ 26.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1630pF @ 25V
功率 - 最大
3.75W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQB50N06LTM-NDFQB50N06LTMFSTR

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