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FQB8N60CFTM

更新时间:2025-05-17 22:31:06

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中扬电子（深圳）有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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只做原装,专注海外现货订购20年

深圳市科鑫美电子有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市世纪成达电子科技有限公
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深圳市吉铭贸易有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

FQB8N60CFTM 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
FRFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.26A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 欧姆 @ 3.13A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1255pF @ 25V
功率 - 最大
147W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
带卷 (TR)

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