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FQD13N10TM

更新时间:2025-06-11 15:52:05

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
FQD13N10TM
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诚信经营，提供BOM一站式配单服务
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中扬电子（深圳）有限公司
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认证现货
15000
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21+/-
原盒原标优势热卖

深圳市中元伟业电子商行
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优势
100000
ONSEMI/安森美
TO252/24+
1比1质量完美通用/包上机可供更多

瀚盈电子(深圳)有限公司
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56800
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

深圳市广弘电子有限公司
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优势
2500
ON/安森美
19+/TO252
特价供应

瀚佳科技（深圳）有限公司
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65200
ON(安森美)
DPAK/21+
-

深圳市鸿源达电子有限公司
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37
FAIRCHILD
TO252/10+
全新原装现货

上海熠富电子科技有限公司
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91752
FAIRCHILD/仙童
TO252/2024
上海原装现货库存，欢迎咨询合作

深圳市新亿利电子有限公司
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5000
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原厂直销，提供一站式服务

深圳市杰旭鑫科技有限公司
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12500
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只做全新原装，特价

深圳市誉辉天成电子有限公司
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5000
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优势渠道现货,提供一站式配单服务

深圳市中元伟业电子商行
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5000
ONSEMI/安森美
TO252/24+
1比1质量完美通用/包上机可供更多

深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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720
FAIRCHILD
-/2014+
公司原装现货常备库存

现代芯城（深圳）科技有限公司
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75000
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一级代理保证

深圳市芯齐壹科技有限公司
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18000
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只做全新原装，支持BOM配单，假一罚十

深圳市硅宇电子有限公司
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15988
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助力国营二十余载，一站式BOM配单

深圳中和芯电子有限公司
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65428
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只做现货，一站式配单

海芯未来半导体电子（深圳）有
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深圳市腾桩电子有限公司
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8000
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原厂渠道，现货配单

深圳市星宇佳科技有限公司
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8465
FAIRCHILD/仙童
TO252/12+
深圳原装进口星宇佳科技

深圳市怡兴业电子科技有限公司
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6500
FAIRCHILD/仙童
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只做原装现货

深圳市威雅利发展有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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2598
ON
TO252/2020+
原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司
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105000
FAIRCHILD/仙童
TO252/23+
原厂代理终端免费提供样品

深圳市粤东诚信电子有限公司
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10000
ON(安森美)
DPAK/24+
原装，一站式BOM表配单

深圳市华普冠科电子科技有限公
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3091
ON
NA/24+/25+
只做原装

深圳市创宝来科技有限公司
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45000
FAIRCHILD
TO252/1808+
原装正品,亚太区电子元器件分销商

深圳市正川电子有限公司
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23412
ON/安森美
-/23+
提供一站式配单服务

深圳市金科创世纪电子有限公司
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48000
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DPAK/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务

深圳市华芯盛科电子有限公司
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20000
ON/安森美
TO252/25+
全新原装

深圳市锦泰世纪电子有限公司
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2500
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TO252/20+
长期回收原装IC

深圳市凯斯宇科技有限公司
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96000
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TO252/2022+
100%进口原装现货

深圳市芯巴巴科技有限公司
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5000
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DPAK/-
只做原装，提供一站式BOM配套服务

华芯盛世半导体（深圳）有限公
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5000
ON(安森美)
DPAK/24+
原厂直销，提供一站式服务

中科航电（深圳）电子集团有限
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68900
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TO252/-
一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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FQD13N10TM外观图

FQD13N10TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD13N10TM 概述

FQD13N10TM是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率管理应用。基础描述方面，它能在Vds为100V时提供高达13A的连续漏极电流。其栅极电荷较低，有助于降低驱动损耗并提高整体效率。典型的应用场景包括直流-直流转换器、电源适配器、电机驱动以及各类需要高效功率开关的设备中。在实际应用中，建议确保栅极驱动电压足够以完全开启MOSFET，并且注意散热设计，避免过热导致性能下降或损坏。对于高频开关应用，应仔细选择栅极电阻值以优化开关速度与EMI之间的平衡。在电路设计时，可以参考制造商提供的典型应用电路进行布局，以实现最佳性能。

FQD13N10TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
450pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQD13N10TM-NDFQD13N10TMTR

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