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FQD4N20TM

更新时间:2025-06-12 07:41:38

供应商
产品型号
服务标识
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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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NK/南科功率
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上海驰循电子科技有限公司
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515
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市吉铭贸易有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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助力国营二十余载，一站式BOM配单

安富利（深圳）商贸有限公司
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10000
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深圳市世纪成达电子科技有限公
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深圳市品优时代科技有限公司
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2470
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深圳市广弘电子有限公司
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VBSEMI/台湾微碧
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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TO252/24+
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深圳市锦泰世纪电子有限公司
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TO252/2020+
长期回收此型号/回收库存料

深圳市拓亿芯电子有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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Fairchild仙童
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昂富（深圳）电子科技有限公司
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深圳宝芯林电子科技有限公司
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深圳市驰源科技有限公司
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FQD4N20TM外观图

FQD4N20TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD4N20TM 概述

FQD4N20TM是飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET。该器件设计用于高效功率转换应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为200V，适用于交流-直流电源转换器、DC-DC转换器以及电机驱动电路等场合。在反向恢复时间方面表现出色，有助于减少开关损耗并提高系统效率。对于电机驱动应用，能够有效处理高电流需求，确保稳定运行。使用时需注意栅极驱动电路的设计，以保证MOSFET完全开启和关闭，避免热失控风险。典型电路中可与PWM控制器配合使用，实现精确的速度或功率控制。

FQD4N20TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 欧姆 @ 1.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
220pf @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252，（D-Pak）
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQD4N20TM-NDFQD4N20TMFSTR

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