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FQD4N20TM

更新时间:2025-05-03 08:04:26
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FQD4N20TM的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FQD4N20TM外观图

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.4 欧姆 @ 1.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：220pf @ 25V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FQD4N20TM-NDFQD4N20TMFSTR
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