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FQI2N30TU

更新时间:2025-05-01 17:01:28
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  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.7 欧姆 @ 1.05A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：130pF @ 25V
  • 功率 - 最大：3.13W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装：I2PAK
  • 包装：管件
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