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FQI5N30TU

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  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:900 毫欧 @ 2.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:430pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3.13W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商设备封装:I2PAK
  • 包装:管件

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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