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FQPF4N50

更新时间:2025-07-04 14:14:32

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FQPF4N50

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 500V 2.3A TO-220F

封装:TO-220-3 整包

FQPF4N50 概述

FQPF4N50是Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220F封装，具有低导通电阻和高开关速度特性。其最大漏源电压（VDS）为500V，连续漏极电流（ID）在25°C时为4A。适用于开关电源、交流-直流转换器、直流-直流转换器以及电机驱动等应用场合。在实际应用中，FQPF4N50可用于设计高效节能的电源系统。例如，在一个反激式开关电源电路中，它可以作为主开关管使用。需要注意的是，在进行PCB布局时，应尽量缩短源极引脚到地线的距离以减少寄生电感的影响。同时，栅极驱动电路的设计也很关键，确保提供足够的驱动电压和电流来快速可靠地开启和关断MOSFET。

FQPF4N50 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.7 欧姆 @ 1.15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
460pF @ 25V
功率 - 最大
35W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220F
包装
管件

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