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FQPF5N60

更新时间:2024-03-28 18:48:13
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FQPF5N60外观图

  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2 欧姆 @ 1.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:730pF @ 25V
  • 功率 - 最大:40W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220F
  • 包装:管件
FQPF5N60 相关信息
  • 基于同步整流技术的反激变换器
    ...能量完全被电阻Rc 消耗,则电阻 Rc 的大小可由式(2)确定。 为保证电容 Cc 两端电压纹波足够小,需RcC c 》 Ts ,取10 倍关系,则电容 C c的大小由式(3)确定。 选用美国Fairchild 公司生产的FQPF5N60 场效应管,该管允许通过的最大电流为5A,最大耐压值为600V;漏感取变压器初级电感的3%,4.5μH。RCD 箝位电路中,取 R c为6KΩ,Cc 为0.015μF, VDc 采用快恢复二极管FR107。 3.4 电...
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