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FQPF8N60CYDTU

更新时间:2025-05-29 07:45:08

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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市科祥威电子科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市巨芯电子科技有限公司
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F

封装:TO-220-3 整包

FQPF8N60CYDTU 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1255pF @ 25V
功率 - 最大
48W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220F
包装
管件

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