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FQT4N20TF

更新时间:2025-05-22 00:44:47
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FQT4N20TF外观图

FQT4N20TF

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
FQT4N20TF 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    850mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.4 欧姆 @ 425mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    220pf @ 25V
  • 功率 - 最大
    2.2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SOT-223-3
  • 包装
    带卷 (TR)
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