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FZ2400R17KF6C_B2

更新时间:2025-04-09 20:15:17
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FZ2400R17KF6C_B2的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Infineon
  • 产品：IGBT Silicon Modules
  • 配置：Triple Common Emitter Common Gate
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V
  • 集电极—射极饱和电压：2.6 V
  • 在25 C的连续集电极电流：3800 A
  • 栅极—射极漏泄电流：400 nA
  • 功率耗散：19.2 KW
  • 最大工作温度：+ 125 C
  • 封装 / 箱体：IHM190
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 工厂包装数量：1
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