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GA20JT12-263

更新时间:2025-05-18 02:55:39
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GA20JT12-263 规格参数
  • 现有数量
    41现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    -
  • 技术
    SiC（碳化硅结晶体管）
  • 漏源电压（Vdss）
    1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    45A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    -
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    60 毫欧 @ 20A
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    -
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    -
  • Vgs（最大值）
    -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    3091 pF @ 800 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    282W（Tc）
  • 工作温度
    175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    TO-263-7
  • 封装/外壳
    TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
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