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GE40N60D

更新时间:2025-06-07 12:03:29

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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GE40N60D 概述

GE40N60D是由GEM微电子生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件采用先进的DMOS技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率电源转换应用。其最大漏极-源极电压为600V，连续漏极电流可达40A，适合在高压、大电流条件下工作。这款MOSFET常用于不间断电源（UPS）、电机驱动器、开关模式电源（SMPS）以及工业控制设备中。在实际应用中，建议关注栅极驱动电路的设计，确保栅极电压足够以实现最佳的导通性能。同时，由于其较高的电压等级，在PCB布局时应注意保持适当的爬电距离，避免高压击穿风险。此外，合理选择散热器可以有效提高器件的工作稳定性和寿命。

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