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GP7N60HD

更新时间:2025-07-05 10:25:34

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GP7N60HD 概述

GP7N60HD是一款由GalaxyCore公司生产的高压功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和低栅极电荷特性，有助于降低开关损耗并提高效率。其最大漏源电压为600V，适合于高电压应用环境。主要应用于开关电源、LED驱动器、适配器以及工业控制等领域。在电源转换电路中，可以作为主开关管使用，实现高效能的能量转换。由于其优异的热稳定性和可靠性，在高温环境下也能保持良好性能。在实际应用中，建议在栅极串联一个小电阻以抑制振荡，并且确保良好的散热设计。对于高频应用，需注意PCB布局尽量减小寄生电感影响。典型电路连接方式为源极接地，漏极接负载，栅极通过驱动电路控制开关状态。

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