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GT50J325(Q)

更新时间:2025-05-16 20:22:35
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GT50J325(Q) 规格参数
  • 制造商
    Toshiba
  • 产品种类
    IGBT 晶体管
  • 配置
    Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    600 V
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    TO-3P
  • 封装
    Bulk
  • 集电极最大连续电流 Ic
    50 A
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 工厂包装数量
    100
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