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HGTG24N60D1D

更新时间:2025-05-15 23:33:00

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说明
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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HGTG24N60D1D 概述

HGTG24N60D1D是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能IGBT晶体管。该型号采用TO-247封装，具有低导通压降和开关损耗的特点，适用于高频应用场合。其最大集电极-发射极电压为600V，可处理较高的电压应力。这款IGBT常用于电源转换器、逆变器和电机驱动等工业应用中。在不间断电源(UPS)系统中表现尤为突出，能够有效提高系统效率并减少热耗散。此外，它也适合应用于感应加热设备以及焊接设备等领域。使用时应注意合理设计散热方案，确保工作温度在安全范围内。建议配合适当的栅极驱动电路以实现最佳开关性能，并遵循制造商提供的电气参数进行电路设计以避免损坏器件。

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