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HM5113165FTD6

更新时间:2025-06-19 09:13:16

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市科鑫美电子有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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中科航电（深圳）电子集团有限
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一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

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深圳市太航半导体有限公司
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HM5113165FTD6 概述

HM5113165FTD6是三星半导体生产的一款高速CMOS SRAM存储器。该芯片为16M位（2M x 8位）静态随机存取存储器，采用44引脚TSOP封装。它具备低功耗和快速存取的特点，典型工作电压为3.3V。其数据保持电流低，在便携式电子设备中表现出色。该存储器广泛应用于通信设备、打印机、调制解调器等需要临时存储数据的场合。在嵌入式系统中，常用于缓存数据以提高系统整体性能。使用时需注意电源去耦电容的合理布局，确保信号完整性，避免噪声干扰影响存储器正常工作。根据具体应用需求选择合适的地址线和数据线连接方式，保证可靠的数据读写操作。

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