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HN1B01FDW1T1

更新时间:2025-07-10 02:57:31
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HN1B01FDW1T1外观图

HN1B01FDW1T1

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS BR NPN/PNP DUAL 60V SC74-6

  • 封装:SC-74，SOT-457
HN1B01FDW1T1 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    2µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    200 @ 2mA，6V
  • 功率 - 最大
    380mW
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装
    SC-74
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    HN1B01FDW1T1OS
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