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HUF75623S3ST

更新时间:2025-05-30 20:12:20

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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

HUF75623S3ST 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
22A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
64 毫欧 @ 22A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
52nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds
790pF @ 25V
功率 - 最大
85W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
管件

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