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              HUF75639S3ST
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HUF75639S3ST

更新时间:2025-02-24 20:58:29
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HUF75639S3ST的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

HUF75639S3ST外观图

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：UltraFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：56A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：25 毫欧 @ 56A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：130nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2000pF @ 25V
  • 功率 - 最大：200W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：TO-263AB
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：HUF75639S3ST-NDHUF75639S3STTR
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