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HUF75925P3

更新时间:2025-05-19 13:21:32

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！
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深圳市百视威讯电子科技有限公
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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原装现货，当天可交货，原型号开票

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原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市创宝来科技有限公司
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原装正品，亚太区混合型电子元器件分销

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中科航电（深圳）电子集团有限
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一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

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昂富（深圳）电子科技有限公司
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

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原厂直销，价格优势，一站式配套服务,可开增值税发

深圳市金灿利电子科技有限公司
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TO220/23+
全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

深圳市诚研翔科技有限公司
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6000
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原装正品,配单能手

深圳市特莱科技有限公司
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3000
FAIRCHILD/仙童
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艾润（香港）电子有限公司
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60000
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原装部分现货量大期货

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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司
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深圳市金和信科技有限公司
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艾润（香港）电子有限公司
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HUF75925P3 概述

HUF75925P3是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET。它采用Power3封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。其最大漏源电压（Vds）为60V，连续漏极电流（Id）在25°C时可达44A。该MOSFET常用于DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路以及电机驱动等场景中。由于其较低的Rds(on)，可以有效减少导通损耗，提高系统效率。此外，它的快速开关速度也有助于减小开关损耗，特别适合高频应用。在实际应用中，建议根据具体的工作条件选择合适的栅极驱动电压，确保MOSFET处于最佳工作状态。在设计PCB布局时，应尽量缩短源极和栅极走线，以减少寄生电感对开关性能的影响。对于高频率或大电流应用，还需注意散热设计，可使用散热片或散热器来增强散热效果。

HUF75925P3 规格参数

制造商
Fairchild Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
200 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
11 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.275 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB
下降时间
27 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
100 W
上升时间
21 ns
典型关闭延迟时间
60 ns

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