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HUF76609D3ST

更新时间:2025-06-14 00:33:36

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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

HUF76609D3ST 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
160 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
425pF @ 25V
功率 - 最大
49W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
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