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HUFA75343S3ST

更新时间:2025-06-16 19:10:46

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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

HUFA75343S3ST 概述

HUFA75343S3ST是一款由Huntsman Microelectronics生产的N沟道MOSFET。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效的电源管理和负载切换应用。该MOSFET的封装形式为SOT-23，适合紧凑型电路设计需求。其最大漏极-源极电压（VDS）可达30V，在室温下连续漏极电流（ID）可高达4A，能够满足大多数低压直流电路的要求。典型应用场景包括消费电子、计算机外设、通信设备中的电源管理模块、电机驱动以及DC-DC转换器等。在实际应用中，建议根据具体电路要求选择合适的栅极驱动电阻值以优化开关性能，并注意散热设计以确保可靠运行。由于其封装较小，在布局布线时应尽量缩短引脚走线长度，减少寄生电感对电路的影响。

HUFA75343S3ST 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
205nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3000pF @ 25V
功率 - 最大
270W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
带卷 (TR)

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