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HUFA76413D3ST

更新时间:2025-05-28 19:56:37

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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

HUFA76413D3ST 概述

HUFA76413D3ST是来自Alpha and Omega Semiconductor (AOS)的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DMOS技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率转换应用。其封装形式为表面贴装的DFN3x3，便于紧凑型电路设计。典型应用场景包括直流-直流转换器、电池管理电路、负载开关及适配器等需要高效电源管理的场合。在实际应用中，建议确保栅极驱动电压足够以达到最佳导通性能，并注意散热设计以维持器件长期稳定工作。对于高频率开关应用，需仔细考虑PCB布局以减少寄生电感对开关性能的影响。此款MOSFET特别适合便携式设备与消费电子产品中的电源管理系统。

HUFA76413D3ST 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
49 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
645pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)

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