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HY27US08561M-TPCB
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专注原装正品现货价格量大可定欢迎惠顾(长期高价回收...
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行业十年，价格超越代理, 支持权威机构检测
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其它信息：
高密度NAND Hash存储器：符合大容量存储应用； NAl\D接口：×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容； 电源电压：3.31/设备VCC＝2.7～3。6V； 存储器单元阵列：528字节×32页×2048块； 页面大小：(512＋16备用的)字节； 时钟大小：(16K＋512备用的)字节； 页面读/编程：随机存取：10μs(最大值),顺序存取：50ns(最小值),页编程时间：200μs(典型值)； 复制回编程模式：不受外界缓冲的快速页面复制； 高速缓存编程模式：改善编程吞吐量的内部高速缓存； 快速块擦除：块擦除时间：2ms(典型值)；硬件数据保护：在电源转换过程中编倡/擦除被锁定； 数据的完整性：100000次编程/擦除周期,10年的数据保留时间； 封装：娲引脚的唧和YmP封装,63引脚的FmA封装
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