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IDH04G65C5XKSA1

更新时间:2025-06-12 00:59:31
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IDH04G65C5XKSA1 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    CoolSiC?+
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    Digi-Key 停止提供
  • 技术
    SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
    650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)
    4A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
    1.7 V @ 4 A
  • 速度
    无恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr)
    0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
    140 μA @ 650 V
  • 不同?Vr、F 时电容
    130pF @ 1V，1MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-2
  • 供应商器件封装
    PG-TO220-2-2
  • 工作温度 - 结
    -55°C ~ 175°C
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广东微尔科技有限公司
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