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IHW30N100R

更新时间:2025-05-14 14:54:36
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IHW30N100R外观图

  • 大小：370.91KB
  • 厂家：INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述：Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
  • 数据列表：IHW30N100R
  • 标准包装：240
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：-
  • IGBT 类型：沟道和场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1000V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.7V @ 15V，30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：60A
  • 功率 - 最大：412W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：PG-TO247-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：SP000212224
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