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              IMH10AT110
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IMH10AT110

更新时间:2025-05-15 15:50:54
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IMH10AT110外观图

  • 大小：1179KB
  • 厂家：
  • 描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：250MHz
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装：SMT6
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IMH10AT110TR
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