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IMH6AT108

更新时间:2025-05-19 05:14:03

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IMH6AT108

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-457

封装:SC-74，SOT-457

IMH6AT108 概述

IMH6AT108是村田制作所生产的一款多层陶瓷电容器。该电容器采用小型化设计，具有较高的可靠性，适用于表面贴装工艺。其电容值、额定电压等具体参数需根据命名规则或详细数据手册确定。在应用场景方面，IMH6AT108广泛应用于消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理电路和信号处理电路。也可用于工业控制设备中的滤波和耦合电路。使用建议是在进行电路设计时要确保电容器的工作电压在其额定电压范围之内，并且要考虑实际工作环境的温度对电容性能的影响。在焊接过程中要注意温度和时间控制，避免因过热损坏电容器。

IMH6AT108 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
47k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
68 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
250MHz
功率 - 最大
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-74，SOT-457
供应商设备封装
SMT6
包装
带卷 (TR)
其它名称
IMH6AT108-NDIMH6AT108TR

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