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IPB036N12N3 G

更新时间:2025-05-22 23:10:22
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  • 深圳市深创辉科技有限公司

  • IPB036N12N3 G

    IPB036N12N3 G

  • 4500

  • Infineon Technologies

  • TO2637 D2Pak (6 Leads + Tab) TO263CB/2024+

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IPB036N12N3 G 规格参数
  • 数据列表
    IPB036N12N3 G
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    120V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    180A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3.6 毫欧 @ 100A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 270µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    211nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    13800pF @ 60V
  • 功率 - 最大
    300W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
  • 供应商设备封装
    PG-TO263-7
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IPB036N12N3 G-NDIPB036N12N3 GTRSP000675204
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