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IPB051NE8N G

更新时间:2025-05-28 14:29:19
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IPB051NE8N G 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    85 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    100 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.0051 Ohms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 175 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TO-263
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    21 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    300 W
  • 上升时间
    42 ns
  • 典型关闭延迟时间
    64 ns
  • 零件号别名
    IPB051NE8NGXT
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